晶振产品有十余项关键参数，如工作频率、频率稳定度，温度频差、负载电容、谐振电阻、封装形式、老化率等。由于所有电路都是以重复且稳定的频率信号作为参考，选择合适的晶振是系统能否持续高效工作的重要基础。

封装尺寸：晶振的封装尺寸决定了其在电路板上的占用空间，对于大多数现代电子设备，常见的封装尺寸包括SMD封装（如2.5x2.0mm、3.2x2.5mm、5.0x3.2mm）和DIP封装，能够满足不同应用领域的需求。

工作频率:这是晶振的基本参数，也是工程师在电路设计和元件选购时首要关注的参数。常见的频率有32.768KHz、8MHz、12MHz、16MHz、24MHz、32MHz、125MHz 等

频率稳定性：在基准温度时，工作频率相对于标称频率的[敏感词]偏离，单位用 ppm（百万分之一）来表示。此值越小表示精度越高。比如，12MHz 晶振偏差为±20ppm，表示它的频率偏差为 12×20Hz=±240Hz，即频率范围是（11999760Hz～12000240Hz）。

温度频差：表示在特定温度范围内，工作频率相对于基准温度时工作频率的允许偏离，单位同样为 ppm。

负载电容：电路中跨接晶体两端的总的有效电容（不是晶振外接的匹配电容），主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻，与晶体一起决定振荡器电路的工作频率，通过调整负载电容，就可以将振荡器的工作频率微调到标称值。

工作电压：晶振的工作电压，常见的如1.8V、3.3V、5V等。

温度范围：晶振在不同温度条件下的工作能力，通常有标准温度范围0~70℃、-40~85℃和扩展温度范围-40~125℃。

静态电容：等效电路静态臂里的电容。它的大小取决于电极面积、晶片厚度和晶片加工工艺。

动态电容：等效电路中动态臂里的电容。它的大小取决于电极面积，晶片平行度和微调量的大小。

启动时间：指晶振从加电到开始稳定工作的时间。一般越短越好。

驱动能力：晶振的驱动能力表示其可以承受的[敏感词]电流，通常以微安（µA）表示。

输出波形：包括正弦波、方波、差分信号等，不同的应用场景对波形有不同的要求。

相噪：在各种噪声的作用下引起的系统输出信号相位的随机变化。它是衡量频率标准源（高稳晶振、原子频标等）频稳质量的重要指标，一般用 dBc/Hz 表示。

Q值：表示晶振的品质因子，Q值越高，表示晶振的频率稳定性和精度越好。

谐振电阻 Rr：晶体元件在谐振频率处的等效电阻，这个参数控制晶体元件的品质因数。

负载谐振电阻RL：晶体元件与规定外部电容相串联，在负载谐振频率 FL 时的电阻。对一定的晶体元件，其负载谐振电阻值取决于和该元件一起工作的负载电容值，串上负载电容后的谐振电阻，总是大于晶体元件本身的谐振电阻。

老化率：频率随时间流逝而产生的变化，一般以周、月或年计算。它与温度、电压及其他条件无关。